Механизм токопереноса в гетеропереходе p-InSb–n-CdTe

С. Г. Петросян; Л. А. Матевосян; К. Э. Авджян; С. Р. Нерсесян

Ներբեռնել

Վերնագիր: Механизм токопереноса в гетеропереходе p-InSb–n-CdTe

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Current Transport Mechanism in p-InSb–n-CdTe Heterojunction

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

198-205

Ամփոփում:

На основе анализа прямой ветви вольт-амперной характеристики экспериментально подтверждено наличие двух механизмов переноса заряда через гетеропереход р-InSb–n-CdTe, полученного методом лазерно-импульсного осаждения. При относительно небольших напряжениях внешнего смещения (0.03 В < U < 0.15 В) ток удовлетворительно согласуется с выражением I ~ exp(qU/ηkT) с коэффициентом идеальности η = 1. Выше 0.18 В вольт-амперная характеристика подчиняется закону I ~ U 3/2 с последующим выходом на линейный участок (напряжение отсечки – 0.47 В). Дана теоретическая модель токопрохождения с учетом особенностей разрыва зон в гетеропереходе, приводящей к возникновению инверсионного слоя вблизи границы раздела. Based on the analysis of the forward current-voltage characteristics of the p-InSb–n-CdTe heterojunction, fabricated by a method of pulsed laser deposition, the existence of two charge injection mechanisms was experimentally confirmed. At relatively small external bias voltages (0.03 V < U < 0.15 V), the current is in satisfactory agreement with the expression I ~ exp (qU/ηkT) with ideality factor η = 1. Above 0.18 V, the current-voltage characteristic obeys the law I ~ U 3/2 with a subsequent exit to the linear part (current cut-off voltage – 0.47 V). A theoretical model of current transport is given taking into account the peculiarities of the heterojunction band bending, leading to the appearance of inversion layer near the interface.