Физические свойства изотипных nInSb-nGaAs гетеропереходов с резкой и плавной границей перехода

А. Г. Алексанян; К. Э. Авджян; Р. К. Казарян; Л. А. Матевосян

Механизм токопереноса в гетеропереходе p-InSb–n-CdTe

С. Г. Петросян Л. А. Матевосян К. Э. Авджян С. Р. Нерсесян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции

А. Г. Алексанян Н. С. Арамян Р. К. Казарян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

К теории электронного спектра полупроводника помещенного в магнитное поле и в поле ультразвуковой волны

А. Г. Алексанян Э. Г. Мирзабекян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Температурная зависимость темновых вольт-амперных характеристик изотипной структуры nInSb-nPbTe-nCdTe

К. Э. Авджян Г. Г. Варданян А. М. Хачатрян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

К. Э. Авджян Г. Г. Варданян Р. П. Григорян А. М. Хачатрян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Эффект насыщения примесного поглощения в полупроводниковых гетероструктурах с квантово-размерными слоями (КРС)

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Нелинейное поглощение света в области экситонного резонанса в полупроводниковой гетероструктуре с квантовыми размерными слоями (МГ КРС)

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Релаксационные процессы в полупроводниковых гетероструктурах с квантово-размерными слоями

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Object

Title: Физические свойства изотипных nInSb-nGaAs гетеропереходов с резкой и плавной границей перехода

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication:

Volume:

Number:

ISSN:

Official URL:

Other title:

Contributor(s):

Coverage:

Publisher:

Date created:

Format:

Identifier:

Call number:

Location of original object:

Subject and keywords:

Object collections:

Last modified:

In our library since:

Number of object content hits:

All available object's versions:

Show description in RDF format:

Show description in OAI-PMH format:

Objects

Similar

Contact details

Address

Phone

E-Mail

Visit us!