Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

Object structure

Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված nInSb–nPbTe–nCdTe իզոտիպ կառուցվածքի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectrical properties of nInSb–nPbTe–nCdTe isotype structure prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique

К. Э. Авджян ; Г. Г. Варданян ; Р. П. Григорян ; А. М. Хачатрян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Radiophysics

Ավջյան Կ. Է. ; Վարդանյան Գ. Հ. ; Գրիգորյան Ռ. Պ. ; Խաչատրյան Ա. Մ. ; Avjyan K. E. ; Vardanyan G. H. ; Grigoryan R. P. ; Khachatryan A. M.

216-220

Методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения изготовлена изотипная структура nInSb-nPbTe-nCdTe. Исследована спектральная зависимость фотоотклика полученной структуры при температуре 120 K. Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված է nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ անցում: Հետազոտված է ստացված կառուցվածքի ֆոտոարձագանքը 120 K ջերմաստիճանում: An nInSb–nPbTe–nCdTe isotype junction was prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique. The spectral response of such structure was investigated at the temperature 120 K.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան