Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

К. Э. Авджян; Г. Г. Варданян; Р. П. Григорян; А. М. Хачатрян

Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

Ներբեռնել

Վերնագիր: Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված nInSb–nPbTe–nCdTe իզոտիպ կառուցվածքի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectrical properties of nInSb–nPbTe–nCdTe isotype structure prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

216-220

Ամփոփում:

Методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения изготовлена изотипная структура nInSb-nPbTe-nCdTe. Исследована спектральная зависимость фотоотклика полученной структуры при температуре 120 K. Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված է nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ անցում: Հետազոտված է ստացված կառուցվածքի ֆոտոարձագանքը 120 K ջերմաստիճանում: An nInSb–nPbTe–nCdTe isotype junction was prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique. The spectral response of such structure was investigated at the temperature 120 K.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-05-09

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134096

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Science Radiophysics Ավջյան Կ. Է. Վարդանյան Գ. Հ. Գրիգորյան Ռ. Պ. Խաչատրյան Ա. Մ. Avjyan K. E. Vardanyan G. H. Grigoryan R. P. Khachatryan A. M.

Նիւթին հաւաքածոները:

Digital Library > Յօդուածներ

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

May 5, 2025

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Apr 21, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147396

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրատարակութեան անունը	Թուական
Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения	May 5, 2025

Նիւթ

Վերնագիր: Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ: