Այլ վերնագիր:

Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված nInSb–nPbTe–nCdTe իզոտիպ կառուցվածքի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectrical properties of nInSb–nPbTe–nCdTe isotype structure prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique

Ծածկույթ:

216-220

Ամփոփում:

Методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения изготовлена изотипная структура nInSb-nPbTe-nCdTe. Исследована спектральная зависимость фотоотклика полученной структуры при температуре 120 K. Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված է nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ անցում: Հետազոտված է ստացված կառուցվածքի ֆոտոարձագանքը 120 K ջերմաստիճանում: An nInSb–nPbTe–nCdTe isotype junction was prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique. The spectral response of such structure was investigated at the temperature 120 K.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-05-09

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134096

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

vol. 43

Համար:

№ 3

ISSN:

0002-3035

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան