Методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения изготовлена изотипная структура nInSb-nPbTe-nCdTe. Исследована спектральная зависимость фотоотклика полученной структуры при температуре 120 K. Վակուումային լազերաիմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով պատրաստված է nInSb-nPbTe-nCdTe իզոտիպ անցում: Հետազոտված է ստացված կառուցվածքի ֆոտոարձագանքը 120 K ջերմաստիճանում: An nInSb–nPbTe–nCdTe isotype junction was prepared by vacuum pulsed-laser deposition technique. The spectral response of such structure was investigated at the temperature 120 K.
oai:arar.sci.am:134096
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Jul 20, 2020
Apr 21, 2020
2
https://arar.sci.am/publication/147396
Հրատարակության անուն | Ամսաթիվ |
---|---|
Фотоэлектрические свойства изотипной структуры nInSb–nPbTe–nCdTe, изготовленной методом вакуумного лазерно-импульсного осаждения | Jul 20, 2020 |
К. Э. Авджян Г. Г. Варданян А. М. Хачатрян
А. Г. Алексанян К. Э. Авджян Р. К. Казарян Л. А. Матевосян
С. Г. Петросян Л. А. Матевосян К. Э. Авджян С. Р. Нерсесян
М. М. Аракелян А. А. Хачатрян
К. Г. Труни Д. М. Варданян
А. Г. Алексанян А. М. Хачатрян
А. А. Варданян П. Г. Дерменжи С. А. Шабоян
В. П. Бисярин А. С. Варданян Г. К. Третьяков