Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Վ. Վ. Բունիաթյան; L. Ա. Միքայելյան

Ներբեռնել

Վերնագիր: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Статические характеристики карбид - кремниевых полевых транзисторов с глубокими примесными уровнями и уровнями прилипания; Conductances of schottky barrier mesfet’s with the deep impurity and trap levels

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

120-126

Ամփոփում:

Տեսականորեն հետազոտվել է Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC-ային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականության և դիքության կախվածությունը կիրառված լարումներից և բյուրեղի մյուս էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերից, երբ ուղետարի տիրույթում հարստացնող խառնուրդները հանդիսանում են խորը և կիսահաղորչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է ներկայացնում իրական սիլիցիում-կարբիդային տրանզիստորներում ընթացող երևույթները: Исследованы зависимости проводимости канала и крутизны SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) от приложенных напряжений и электрофизических параметров кристалла при наличии глубоких уровней и уровней прилипания в запрещенной зоне полупроводника. Предложенная новая модель позволяет глубже представить физические процессы, происходяшие в реальных SiC ПТШ. The dependencies of conductance and transconductance of Schottky barrier MESFET’s on the bias voltage and other electrophysical parameters of semiconductor crystalls are theoretically examined with the deep impurity and trap levels in the bandgap of the channel exist. The new model allows to present deeper the processes which take place in real SiC MESFET’s.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2005-04-17

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32236

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering Technology Буниатян В. В. Микаелян Л. А. Buniatyan V. V. Mikaelyan L. A. խառնուրդային խորը մակարդակ կպչուն մակարդակ (էլեկտրոնային թակարդներ) ելքային հաղորդականություն դիքություն

Նիւթին հաւաքածոները:

Digital Library > Articles

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

Oct 11, 2024

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Mar 3, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/35914

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրատարակութեան անունը	Թուական
Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները	Oct 11, 2024

Նիւթ

Վերնագիր: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ: