Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2005

Հատոր:

58

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Այլ վերնագիր:

Статические характеристики карбид - кремниевых полевых транзисторов с глубокими примесными уровнями и уровнями прилипания; Conductances of schottky barrier mesfet’s with the deep impurity and trap levels

Ստեղծողը:

Վ. Վ. Բունիաթյան ; L. Ա. Միքայելյան

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Խորագիր:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Буниатян В. В. ; Микаелян Л. А. ; Buniatyan V. V. ; Mikaelyan L. A. ; խառնուրդային խորը մակարդակ ; կպչուն մակարդակ (էլեկտրոնային թակարդներ) ; ելքային հաղորդականություն ; դիքություն

Ծածկույթ:

120-126

Ամփոփում:

Տեսականորեն հետազոտվել է Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC-ային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականության և դիքության կախվածությունը կիրառված լարումներից և բյուրեղի մյուս էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերից, երբ ուղետարի տիրույթում հարստացնող խառնուրդները հանդիսանում են խորը և կիսահաղորչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է ներկայացնում իրական սիլիցիում-կարբիդային տրանզիստորներում ընթացող երևույթները: Исследованы зависимости проводимости канала и крутизны SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) от приложенных напряжений и электрофизических параметров кристалла при наличии глубоких уровней и уровней прилипания в запрещенной зоне полупроводника. Предложенная новая модель позволяет глубже представить физические процессы, происходяшие в реальных SiC ПТШ. The dependencies of conductance and transconductance of Schottky barrier MESFET’s on the bias voltage and other electrophysical parameters of semiconductor crystalls are theoretically examined with the deep impurity and trap levels in the bandgap of the channel exist. The new model allows to present deeper the processes which take place in real SiC MESFET’s.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2005-04-17

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան