Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Վ. Վ. Բունիաթյան; L. Ա. Միքայելյան

Download

Title: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Volume:

Number:

ISSN:

0002-306X

Official URL:

Other title:

Статические характеристики карбид - кремниевых полевых транзисторов с глубокими примесными уровнями и уровнями прилипания; Conductances of schottky barrier mesfet’s with the deep impurity and trap levels

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

120-126

Abstract:

Տեսականորեն հետազոտվել է Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC-ային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականության և դիքության կախվածությունը կիրառված լարումներից և բյուրեղի մյուս էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերից, երբ ուղետարի տիրույթում հարստացնող խառնուրդները հանդիսանում են խորը և կիսահաղորչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է ներկայացնում իրական սիլիցիում-կարբիդային տրանզիստորներում ընթացող երևույթները: Исследованы зависимости проводимости канала и крутизны SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) от приложенных напряжений и электрофизических параметров кристалла при наличии глубоких уровней и уровней прилипания в запрещенной зоне полупроводника. Предложенная новая модель позволяет глубже представить физические процессы, происходяшие в реальных SiC ПТШ. The dependencies of conductance and transconductance of Schottky barrier MESFET’s on the bias voltage and other electrophysical parameters of semiconductor crystalls are theoretically examined with the deep impurity and trap levels in the bandgap of the channel exist. The new model allows to present deeper the processes which take place in real SiC MESFET’s.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2005-04-17

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:32236

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Subject and keywords:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering Technology Буниатян В. В. Микаелян Л. А. Buniatyan V. V. Mikaelyan L. A. խառնուրդային խորը մակարդակ կպչուն մակարդակ (էլեկտրոնային թակարդներ) ելքային հաղորդականություն դիքություն

Object collections:

Digital Library > Articles

Last modified:

Oct 11, 2024

In our library since:

Mar 3, 2020

Number of object content hits:

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/35914

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Edition name	Date
Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները	Oct 11, 2024

Object

Title: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication: