Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիում-կարբիդային դաշտային տրանզիստորի ստատիկ բնութագրերը

L. Ա. Միքայելյան

Download

Title: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիում-կարբիդային դաշտային տրանզիստորի ստատիկ բնութագրերը

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Статические характеристики карбид-кремниевых полевых транзисторов с глубокими примесными уровнями и уровнями прилипания; The static characteristics of schottky barrier mesfet’s with the deep impurity and trap levels

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

537-544

Ամփոփում:

Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորներում ընթացող ֆիզիկական երևույթները ուղետարի տիրույթի կիսահաղորդչի արգելման գոտում լեգիրացնող խառնուրդների խորը և կպչուն մակարդակների առկայության դեպքում: Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է բնութագրում ռեալ սիլիցիում-կարբիդային սարքերում ընթացող երևույթները: Теоретически исследованы физические процессы, происходящие в SiC полевых транзисторах с барьером Шоттки (ПТШ) при наличии глубоких уровней и уровней прилипания (центры захвата) в запрещенной зоне полупроводника. Предложена новая модель, позволяющая более точно характеризовать физические процессы, происходящие в реальных SiC ПТШ. The physical processes in the Schottky barrier MESFET’s are theoretically examined, when the deep impurity and trap levels in the bandgap of channel are present. A new common model allowing to characterize more exactly the processes which take place in real SiC MESFET’s is suggested.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2004-12-18

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32216

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Subject and keywords:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering Technology Микаелян Л. А. Mikayelyan L. A. սիլիցիում կարբիդ խառնուրդային խորը մակարդակ կպչուն մակարդակ աղքատացած շերտ լիցքակիրների արագության հագեցում

Object collections:

Digital Library > Հոդվածներ

Last modified:

Oct 11, 2024

In our library since:

Mar 3, 2020

Number of object content hits:

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/35891

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Edition name	Date
Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիում-կարբիդային դաշտային տրանզիստորի ստատիկ բնութագրերը	Oct 11, 2024

Object

Title: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիում-կարբիդային դաշտային տրանզիստորի ստատիկ բնութագրերը

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ: