Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2018

Հատոր:

11

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

National Polytechnic University of Armenia ; Institute of Radiophysics and Electronics of NAS RA

Ծածկույթ:

278-279

Ամփոփում:

Single-layer a-C anti-reflective coatings on the Si and GaAs substrates were obtained by using of a Q-switched nanosecond pulsed laser deposition method. It is established that single-layer a-C coatings effectively reduce the high reflection of substrates (on average to 5 % for Si and 8 % for GaAs in 400-750 nm wave range). Used by us technology for fabrication of a-C anti-reflective coatings is very simple (excludes high-energy implantation, high-temperature diffusion and deposition processes) and applied for the first time.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2018-12-28

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23525

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան