Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2024

Հատոր:

77

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Ոսկանյան Գ. Ա., Восканян Г. А.

Այլ վերնագիր:

Բարակ օքսիդի շերտով տրանզիստորներով հենակային լարման աղբյուրի հուսալիության բարձրացման մեթոդ ; Метод повышения надежности источника опорного напряжения с тонкими оксидными слоями транзисторов

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

339-348

Ամփոփում:

Nowadays the sizes of CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology elements are shrinking to critical dimensions. As a result, previously negligible physical phenomena begin to manifest, whose effects are insignificant at higher technology levels. Supply voltage does not scale proportionally, and the gate dielectric thickness decreases, subjecting devices to stronger electric fields, thus causing stress on transistors and decreasing reliability. A method is proposed for designing of bandgap reference with usage of only thin oxide devices, which are improved reliability of circuit and protected from stress conditions.
Ներկայումս ԿՄՕԿ (կոմպլեմենտար մետաղ-օքսիդ կիսահաղորդիչ) տեխնոլոգիայի տարրերի չափերը հասել են կրիտիկականի։ Արդյունքում սկսում են ի հայտ գալ նախկինում աննշան ֆիզիկական երևույթներ, որոնց ազդեցությունը ավելի բարձր տեխնոլոգիական մակարդակներում աննկատ էր։ Սնման լարումները համապատասխան կերպով չեն մասշտաբավորվում, փականի դիէլեկտրիկի հաստությունը փոքրանում է, ինչի արդյունքում սարքերը ենթարկվում են ուժեղ էլեկտրական դաշտի ազդեցության՝ առաջացնելով սթրես տրանզիստորներում և հուսալիության նվազում։ Առաջարկվում է նախագծման մեթոդ, որը թույլ է տալիս ստեղծել հենակային լարման աղբյուր՝ օգտագործելով միայն բարակ օքսիդի շերտով տրանզիստորներ, որոնք պաշտպանված են սթրեսային պայմաններից և ապահովում են սխեմայի բարձր հուսալիություն։
В настоящее время размеры элементов технологии КМОП (комплементарный металл-оксид-полупроводник) уменьшаются до критических размеров. В результате начинают проявляться ранее незначительные физические явления, влияние которых было несущественным на более высоких размерах технологий. Питающее напряжение не уменьшается пропорционально, а толщина диэлектрика затвора уменьшается, подвергая устройства более сильным электрическим полям, что вызывает напряжение на транзисторах и снижает их надежность. Предлагается метод проектирования опорного источника напряжения с использованием только тонких оксидных приборов, которые обладают улучшенной на- дежностью схемы и защищены от условий напряжения.

Հրատարակութեան վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:397137

Դասիչ:

АЖ 413

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան