Օբյեկտ

Վերնագիր: Моделирование и экспериментальное исследование углового отражения черного кремния

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2025

Հատոր:

60

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկություն:

Ayvazyan G. Y., Katkov M. V., Lakhoyan L. M., Այվազյան Գ. Ե., Կատկով Մ. Վ., Լախոյան Լ. Մ.

Այլ վերնագիր:

Modeling and Experimental Study of Black Silicon Angular Reflection ; Սև սիլիցիումի անկյունային անդրադարձման մոդելավորումը և փորձնական հետազոտությունը

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

106-114

Ամփոփում:

Представлены результаты исследования углового отражения слоев черного кремния (b-Si), сформированных методом реактивного ионного травления. Расчеты методом матрицы переноса и экспериментальные измерения подтверждали превосходное антиотражающее свойство b-Si при углах падения светового излучения до 60°. Это обеспечивает стабильность тока короткого замыкания солнечных элементов в широком угловом диапазоне, что особенно важно для эффективной эксплуатации стационарных фотовольтаических станций в течение дня и при облачной погоде.
Ներկայացված են ռեակտիվ իոնային խածատմամբ ձևավորված սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի անկյունային անդրադարձման հետազոտման արդյունքները։ Մատրիցային փոխանցման մեթոդով իրականացված հաշվարկները և փորձարարական չափումները հաստատում են b-Si-ի գերազանց հակաանդրադարձման հատկությունը լուսային ճառագայթների մինչև 60° անկման անկյունների դեպքում։ Դա ապահովում է արևային էլեմենտների կարճ միացման հոսանքի կայունությունը լայն անկյունային տիրույթում, ինչը հատկապես կարևոր է ցերեկային և ամպամած եղանակին անշարժ ֆոտովոլտային կայանների արդյունավետ շահագործման համար:
The study presents the results of angular reflection analysis of black silicon (b-Si) layers formed through reactive ion etching. Calculations using the transfer matrix method and experimental measurements confirm the excellent antireflective properties of b-Si at light incidence angles of up to 60°. This ensures the stability of the short-circuit current in solar cells across a wide angular range, which is particularly important for the efficient operation of stationary photovoltaic stations during daytime and under cloudy conditions.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:392741

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 6, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

May 5, 2025

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

9

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/425268

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն