Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Ayvazyan G. Y., Katkov M. V., Lakhoyan L. M., Այվազյան Գ. Ե., Կատկով Մ. Վ., Լախոյան Լ. Մ.
Title:
Моделирование и экспериментальное исследование углового отражения черного кремния
Other title:
Modeling and Experimental Study of Black Silicon Angular Reflection ; Սև սիլիցիումի անկյունային անդրադարձման մոդելավորումը և փորձնական հետազոտությունը
Creator:
Айвазян, Г. Е. ; Катков, М. В. ; Лахоян, Л. М.
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Coverage:
Abstract:
Представлены результаты исследования углового отражения слоев черного кремния (b-Si), сформированных методом реактивного ионного травления. Расчеты методом матрицы переноса и экспериментальные измерения подтверждали превосходное антиотражающее свойство b-Si при углах падения светового излучения до 60°. Это обеспечивает стабильность тока короткого замыкания солнечных элементов в широком угловом диапазоне, что особенно важно для эффективной эксплуатации стационарных фотовольтаических станций в течение дня и при облачной погоде.
Ներկայացված են ռեակտիվ իոնային խածատմամբ ձևավորված սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի անկյունային անդրադարձման հետազոտման արդյունքները։ Մատրիցային փոխանցման մեթոդով իրականացված հաշվարկները և փորձարարական չափումները հաստատում են b-Si-ի գերազանց հակաանդրադարձման հատկությունը լուսային ճառագայթների մինչև 60° անկման անկյունների դեպքում։ Դա ապահովում է արևային էլեմենտների կարճ միացման հոսանքի կայունությունը լայն անկյունային տիրույթում, ինչը հատկապես կարևոր է ցերեկային և ամպամած եղանակին անշարժ ֆոտովոլտային կայանների արդյունավետ շահագործման համար:
The study presents the results of angular reflection analysis of black silicon (b-Si) layers formed through reactive ion etching. Calculations using the transfer matrix method and experimental measurements confirm the excellent antireflective properties of b-Si at light incidence angles of up to 60°. This ensures the stability of the short-circuit current in solar cells across a wide angular range, which is particularly important for the efficient operation of stationary photovoltaic stations during daytime and under cloudy conditions.