Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2024

Հատոր:

59

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Այվազյան Գ. Ե., Ayvazyan G. Y.

Այլ վերնագիր:

Սև սիլիցիումից շերտերի անդրադարձման հատկությունները լայն սպեկտրային տիրույթում ; Reflective Properties of Black Silicon in a Wide Spectral Range

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

196-202

Ամփոփում:

Изучены структурные и отражающие свойства (полное отражение и рассеяние) слоев черного кремния, сформированных методом реактивного ионного травления. Определены спектры отражения в видимом, ближних инфракрасном и ультрафиолетовом диапазонах длин волн излучения. Исследовано влияние продолжительности травления на оптическое поведение слоев черного кремния и обсуждены возможности их применения в солнечных элементах и фотодетекторах.
Հետազոտվել է ռեակտիվ իոնային խածատման մեթոդով ձևավորված սև սիլիցիումից շերտերի կառուցվածքային և անդրադարձման (ընդհանուր անդրադարձում և ցրում) հատկությունները: Անդրադարձման սպեկտրերը որոշվել են ճառագայթման ալիքի երկարությունների տեսանելի, ենթաինֆրակարմիր և ենթաուլտրամանուշակագույն տիրույթներում: Ուսումնասիրվել է խածատման տևողության ազդեցությունը սև սիլիցիումից շերտերի օպտիկական վարքագծի վրա և քննարկվել են դրանց կիրառման հնարավորությունները արևային էլեմենտներում և ֆոտոդետեկտորներում:
The structural and reflective properties (total reflection and scattering) of black silicon layers formed by reactive ion etching have been studied. Reflection spectra were determined in the visible, near-infrared and near-ultraviolet wavelength ranges. The influence of etching duration on the optical behavior of black silicon layers is studied and the possibilities of their use in solar cells and photodetectors are discussed

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:377339

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան