Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2023

Հատոր:

58

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Aghamalyan N. R., Ayvazyan H. L., Vartanyan T. A., Kafadaryan Y. A., Mnatsakanyan H. G., Hovsepyan R. K., Poghosyan A. R.

Այլ վերնագիր:

Dependence of the Conductivity Mechanism and Dielectric Properties of Zinc Oxide Films on the Degree of Lithium Dopin

Համատեղ հեղինակները:

ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника», Минск, Беларусь ; Национальный исследовательский университет информационных технологий,механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

376–386

Ամփոփում:

Исследовано влияние легирования литием на диэлектрические характе- ристики и механизм проводимости пленок оксида цинка, полученных методом вакуумного электронно-лучевого напыления. Обнаружена сильная дисперсия констант диэлектрической проницаемости при низких частотах, связанная с межфазной поляризацией на границах зерен. Показано, что частотные зависимости проводимости хорошо описываются теорией Мотта. Установлено, что механизм проводимости на переменном токе с ростом концентрации лития претерпевает качественные изменения: прыжковая проводимость сменяется коррелированными прыжками через барьер и, наконец, туннелированием поляронов малого радиуса. Характеристики полученных пленок свидетельствуют о возможности использовать их для создания емкостного элемента памяти, а также в качестве канала полевого транзистора.
The effect of lithium impurity on the dielectric characteristics and the mechanism of conductivity of zinc oxide thin films obtained by electron beam deposition method was studied. A strong dispersion of permittivity constants at low frequencies associated with interfacial polarization at grain boundaries was found. It was shown that the frequency dependences of the conductivity are well described by the Mott theory. It has been established that the mechanism of ac conductivity undergoes qualitative changes with increasing of lithium concentration: hopping conductivity is replaced by correlated hops through the barrier and, finally, tunneling of small radius polarons. The characteristics of the obtained films indicate the possibility of using them to create a capacitive memory element, as well as a channel of a field-effect transistor.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

կապին հետեւելուն համար սեղմէ հոս ; oai:arar.sci.am:363450

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան