Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2023

Հատոր:

58

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Այվազյան Գ. Ե., Դանիլչենկո Կ. Դ., Կովալենկո Դ. Լ., Մաևսկի Ա. Ա., Նիկիտյուկ Յու. Վ., Պրոխորենկո Վ. Ա., Սեմչենկո Ա. Վ., Սիդսկիյ Վ. Վ., Խախոմով Ս. Ա., Մալյուտինա-Բրոնսկայա Վ. Վ., Նեստերենոկ Ա. Վ., Ayvazyan G. Y., Danilchenko K. D., Kovalenko D. L., Maevsky A. A., Nikityuk Yu. V., Prokhorenko V. A., Semchenko A. V., Sidsky V. V., Khakhomov S. A., Malyutina-Bronskaya V. V., Nesterenok A. V.

Այլ վերնագիր:

Synthesis, Investigation and Neural Network Modeling of the Properties of Sol–Gel ITO/ZnO and ITO/ZnO:Mg structures ; Զոլ–գել ITO/ZnO և ITO/ZnO:Mg կառուցվածքների սինթեզ, հատկությունների հետազոտում և նեյրոցանցային մոդելավորում

Համատեղ հեղինակները:

Национальный политехнический университет Армении, Ереван, Армения ; Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины, Гомель, Беларусь ; ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника», Минск, Беларусь

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

366–375

Ամփոփում:

Золь-гель методом изготовлены двуслойные структуры ITO/ZnO и ITO/ZnO:Mg и экспериментально исследованы их структурные и фотоэлектриче- ские свойства. Показано, что морфология и ширина запрещенной зоны этих структур по сравнению с пленками ZnO и ZnO:Mg без подслоя ITO заметно изменяется. Проанализированы ВАХ изготовленных структур в темноте и под воздействием оптического излучения разной длины волны. С использованием искусственных нейронных сетей смоделирована их спектральная фоточувствительность.
Զոլ-գել մեթոդով պատրաստվել են ITO/ZnO և ITO/ZnO:Mg երկշերտ կառուցվածքներ և փորձնականորեն հետազոտվել են դրանց կառուցվածքային և ֆոտոէլեկտրական հատկությունները: Ցույց է տրվել, որ համեմատած առանց ITO ենթաշերտի ZnO և ZnO:Mg թաղանթների, նկատելիորեն փոխվում է մորֆոլոգիան և նվազում է արգելված գոտու լայնությունը: Վերլուծվել են ստացված կառուցվածքների վոլտ-ամպերային բնութագրերը՝ մթության մեջ և տարբեր երկարությունների օպտիկական ճառագայթման ազդեցության տակ։ Արհեստական նեյրոնային ցանցերի միջոցով մոդելավորվել է դրանց սպեկտրային լուսազգայունությունը։
ITO/ZnO and ITO/ZnO:Mg bilayer structures were fabricated by the sol-gel method and their structural and photoelectric properties were experimentally studied. It is shown that, compared with ZnO and ZnO:Mg films without an ITO sublayer, the morphology changes noticeably and the band gap decreases. The I–V characteristics of obtained structures were analyzed in the dark and under the influence of optical radiation of different wavelengths. Using artificial neural networks, their spectral photosensitivity was modeled

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:363449

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան