Հրապարակման մանրամասներ:

Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Արցախի պետական համալսարանի գիտական տեղեկագիր. Հասարակական և բնական գիտություններ=Ученые записки Арцахского государственного университета: Социальные и естественные науки=Artsakh state university's Proceedings: Social and natural sciences

Հրապարակման ամսաթիւ:

2022

Հատոր:

2

ISSN:

1829-4375

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Минасян М., Гаспарян А., Манукян А., Минасян А., Minasyan M., Gasparyan A., Manukyan A., Minasyan A.

Այլ վերնագիր:

О возможном формировании ос, управляемого сквозным токомв обращенном биполярном транзисторе ; About The Possibility Of The Formation Of The Os Controlled Through Current Reversed Bipolar Transistor

Համատեղ հեղինակները:

Արցախի պետական համալսարան

Աջակից(ներ):

Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան

Ծածկոյթ:

89-96

Ամփոփում:

Ցույց է տրված, որ S-բնութագրերի խաթարումը բխում է տրանզիստորի դրեյֆային լինելու հանգամանքից: Կապված բազայի անհավասարաչափ լեգիրացման հետ` դիտարկվող տրանզիստորը հակադարձված ռեժիմում աշխատում է առանձնակի թույլ ուժեղացումներով, և սպասելի է, որ փոքրազդանշանային ուժեղացումը (թույլ տարանցիկ հոսանքների հանգամանքում) չբավարարի հեղեղնային ծակման S-աձև ընթացքի ձևավորմանը:
Рассматривается инверсный сквозной ток в дрейфовом биполярном транзисторе. Выявлено атипичное подавление S- образности участка лавинного пробоя у части транзисторов, по-видимому, обладающих более резким профилем легирования и сильным внутренним полем в базе․
Inverse through current in the drift bipolar transistor is considered. Atypical suppression of S-figurativeness of the site of avalanche breakdown at a part of the transistors, apparently, possessing sharper profile of alloying and the strong internal field in base is revealed.

Հրատարակութեան վայրը:

Ստեփանակերտ

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:359704

Թուայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

Արցախի պետական համալսարան