Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:
Минасян М., Гаспарян А., Манукян А., Минасян А., Minasyan M., Gasparyan A., Manukyan A., Minasyan A.
О возможном формировании ос, управляемого сквозным токомв обращенном биполярном транзисторе ; About The Possibility Of The Formation Of The Os Controlled Through Current Reversed Bipolar Transistor
Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան
Ցույց է տրված, որ S-բնութագրերի խաթարումը բխում է տրանզիստորի դրեյֆային լինելու հանգամանքից: Կապված բազայի անհավասարաչափ լեգիրացման հետ` դիտարկվող տրանզիստորը հակադարձված ռեժիմում աշխատում է առանձնակի թույլ ուժեղացումներով, և սպասելի է, որ փոքրազդանշանային ուժեղացումը (թույլ տարանցիկ հոսանքների հանգամանքում) չբավարարի հեղեղնային ծակման S-աձև ընթացքի ձևավորմանը:
Рассматривается инверсный сквозной ток в дрейфовом биполярном транзисторе. Выявлено атипичное подавление S- образности участка лавинного пробоя у части транзисторов, по-видимому, обладающих более резким профилем легирования и сильным внутренним полем в базе․
Inverse through current in the drift bipolar transistor is considered. Atypical suppression of S-figurativeness of the site of avalanche breakdown at a part of the transistors, apparently, possessing sharper profile of alloying and the strong internal field in base is revealed.
Ստեփանակերտ
oai:arar.sci.am:359704
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Jan 12, 2024
Jun 2, 2023
21
https://arar.sci.am/publication/388916
Edition name | Date |
---|---|
Մինասյան, Մելս, Հակադարձված բիպոլյար տրանզիստորում տարանցիկ հոսանքով կառավարվող բացասական դիմադրության հնարավորության մասին | Jan 12, 2024 |