Հրապարակման մանրամասներ:
Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Լրացուցիչ տեղեկութիւն:
Минасян М., Гаспарян А., Манукян А., Минасян А., Minasyan M., Gasparyan A., Manukyan A., Minasyan A.
Վերնագիր:
Այլ վերնագիր:
О возможном формировании ос, управляемого сквозным токомв обращенном биполярном транзисторе ; About The Possibility Of The Formation Of The Os Controlled Through Current Reversed Bipolar Transistor
Ստեղծողը:
Մինասյան, Մելս ; Գասպարյան, Աննա ; Մանուկյան, Անուշ ; Մինասյան, Աննա
Համատեղ հեղինակները:
Աջակից(ներ):
Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան
Խորագիր:
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
բազայի ներքին դաշտ ; փոքրազդանշանային ուժեղացում ; ներքին վերադարձ կապըստ հոսանքի
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Ցույց է տրված, որ S-բնութագրերի խաթարումը բխում է տրանզիստորի դրեյֆային լինելու հանգամանքից: Կապված բազայի անհավասարաչափ լեգիրացման հետ` դիտարկվող տրանզիստորը հակադարձված ռեժիմում աշխատում է առանձնակի թույլ ուժեղացումներով, և սպասելի է, որ փոքրազդանշանային ուժեղացումը (թույլ տարանցիկ հոսանքների հանգամանքում) չբավարարի հեղեղնային ծակման S-աձև ընթացքի ձևավորմանը:
Рассматривается инверсный сквозной ток в дрейфовом биполярном транзисторе. Выявлено атипичное подавление S- образности участка лавинного пробоя у части транзисторов, по-видимому, обладающих более резким профилем легирования и сильным внутренним полем в базе․
Inverse through current in the drift bipolar transistor is considered. Atypical suppression of S-figurativeness of the site of avalanche breakdown at a part of the transistors, apparently, possessing sharper profile of alloying and the strong internal field in base is revealed.
Հրատարակութեան վայրը:
Ստեփանակերտ
Տեսակ:
Ձեւաչափ:
Թուայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան