Publication Details:
Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Минасян М., Гаспарян А., Манукян А., Минасян А., Minasyan M., Gasparyan A., Manukyan A., Minasyan A.
Title:
Other title:
О возможном формировании ос, управляемого сквозным токомв обращенном биполярном транзисторе ; About The Possibility Of The Formation Of The Os Controlled Through Current Reversed Bipolar Transistor
Creator:
Մինասյան, Մելս ; Գասպարյան, Աննա ; Մանուկյան, Անուշ ; Մինասյան, Աննա
Corporate Creators:
Contributor(s):
Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան
Subject:
Uncontrolled Keywords:
բազայի ներքին դաշտ ; փոքրազդանշանային ուժեղացում ; ներքին վերադարձ կապըստ հոսանքի
Coverage:
Abstract:
Ցույց է տրված, որ S-բնութագրերի խաթարումը բխում է տրանզիստորի դրեյֆային լինելու հանգամանքից: Կապված բազայի անհավասարաչափ լեգիրացման հետ` դիտարկվող տրանզիստորը հակադարձված ռեժիմում աշխատում է առանձնակի թույլ ուժեղացումներով, և սպասելի է, որ փոքրազդանշանային ուժեղացումը (թույլ տարանցիկ հոսանքների հանգամանքում) չբավարարի հեղեղնային ծակման S-աձև ընթացքի ձևավորմանը:
Рассматривается инверсный сквозной ток в дрейфовом биполярном транзисторе. Выявлено атипичное подавление S- образности участка лавинного пробоя у части транзисторов, по-видимому, обладающих более резким профилем легирования и сильным внутренним полем в базе․
Inverse through current in the drift bipolar transistor is considered. Atypical suppression of S-figurativeness of the site of avalanche breakdown at a part of the transistors, apparently, possessing sharper profile of alloying and the strong internal field in base is revealed.
Place of publishing:
Ստեփանակերտ
Type:
Format:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան