Publication Details:

Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:

Journal or Publication Title:

Արցախի պետական համալսարանի գիտական տեղեկագիր. Հասարակական և բնական գիտություններ=Ученые записки Арцахского государственного университета: Социальные и естественные науки=Artsakh state university's Proceedings: Social and natural sciences

Date of publication:

2022

Volume:

2

ISSN:

1829-4375

Official URL:

Additional Information:

Минасян М., Гаспарян А., Манукян А., Минасян А., Minasyan M., Gasparyan A., Manukyan A., Minasyan A.

Other title:

О возможном формировании ос, управляемого сквозным токомв обращенном биполярном транзисторе ; About The Possibility Of The Formation Of The Os Controlled Through Current Reversed Bipolar Transistor

Corporate Creators:

Արցախի պետական համալսարան

Contributor(s):

Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան

Coverage:

89-96

Abstract:

Ցույց է տրված, որ S-բնութագրերի խաթարումը բխում է տրանզիստորի դրեյֆային լինելու հանգամանքից: Կապված բազայի անհավասարաչափ լեգիրացման հետ` դիտարկվող տրանզիստորը հակադարձված ռեժիմում աշխատում է առանձնակի թույլ ուժեղացումներով, և սպասելի է, որ փոքրազդանշանային ուժեղացումը (թույլ տարանցիկ հոսանքների հանգամանքում) չբավարարի հեղեղնային ծակման S-աձև ընթացքի ձևավորմանը:
Рассматривается инверсный сквозной ток в дрейфовом биполярном транзисторе. Выявлено атипичное подавление S- образности участка лавинного пробоя у части транзисторов, по-видимому, обладающих более резким профилем легирования и сильным внутренним полем в базе․
Inverse through current in the drift bipolar transistor is considered. Atypical suppression of S-figurativeness of the site of avalanche breakdown at a part of the transistors, apparently, possessing sharper profile of alloying and the strong internal field in base is revealed.

Place of publishing:

Ստեփանակերտ

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:359704

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

Արցախի պետական համալսարան