Efficient surface passivation of n-type black silicon

G. Y. Ayvazyan; S. K. Khudaverdyan; M. S. Lebedev; A. V. Semchenko

Ներբեռնել

Վերնագիր: Efficient surface passivation of n-type black silicon

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

N-տիպի սև սիլիցիումի մակերևույթի արդյունավետ պասսիվացումը; Эффективная пассивация поверхности черного кремния n-типа

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

78-84

Ամփոփում:

Surface recombination losses significantly reduce the efficiency of black silicon (b-Si)for solar cell applications. Surface passivation using suitable dielectric films can minimize these losses. This paper reports the investigation on the passivation properties of the hafnium dioxide (HfO2) film deposited on n-type b-Si surface via the atomic layer deposition method. Մակերևութային վերամիավորման կորուստները զգալիորեն փոքրացնում են սև սիլիցիումի (b-Si) արդյունավետությունը արևային էլեմենտներում կիրառելու համար: Այդ կորուստները կարելի է նվազեցնել՝ մակերևույթը պասսիվացնելով որոշակի մեկուսիչ թաղանթներով: Հետազոտվել են n-տիպի b-Si-ի մակերևույթին ատոմաշերտային նստեցման մեթոդով ստացված հաֆնիումի երկօքսիդի (HfO2) թաղանթի պասսիվացման հատկությունները: Потери, обусловленные поверхностной рекомбинацией, значительно снижают эффективность черного кремния (b-Si) для применения в солнечных элементах. Пассивация поверхности с использованием определенных диэлектрических пленок может минимизировать эти потери. Исследованы пассивирующие свойства пленки диоксида гафния (HfO2), нанесенной на поверхность b-Si n-типа методом атомно-слоевого осаждения.