Օբյեկտ

Վերնագիր: A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Date of publication:

2019

Volume:

72

Number:

1

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Other title:

Երկփականի, կարճ ուղետարով ֆինֆետ տրանզիստորի ունակության մոդելը շարժունակության դեգրադացիայի պայմաններում; Модель емкости короткоканального финфета с двойным затвором, включая эффект деградации подвижности

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

93-101

Abstract:

A capacitance compact and explicit model is introduced for a short channel Double gate (DG) undoped FinFET including the mobility degradation effect. The capacitance model is developed on the basis of the channel charge partition, and is the generalization of previously developed capacitance model accounted only for constant mobility. The presented analytical compact model is validated with 3D Atlas simulations performed with the CVT mobility model. Ներկայացված է կարճ ուղետարով երկփականի ՖինՖԵՏ տրանզիստորի ունակության մոդելը, որտեղ հաշվի է առնված լիցքակիրների շարժունակության դեգրադացիան: Ունակության մոդելը հիմնված է ուղետարի լիցքի տերմինալների միջև բաժանման գաղափարի վրա և հանդիսանում է հաստատուն շարժունակության համար նախկինում մշակված մոդելի ընդհանրացումը: Անալիտիկ հաշվարկների ճշգրտությունը ստուգված է 2D Atlas ստանդարտացված թվային գործիքով, որտեղ հաշվարկները կատարված են CVT շարժունակության մոդելով: Исследован короткоканальный, нелегированный FinFET полевой транзистор с двойным затвором. Разработана компактная модель емкости структуры, включая эффект деградации подвижности. Достоверность аналитических расчетов проверена сравнением с численными вычислениями с 2D Atlas инструментом с учетом CVT модели подвижности.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2019-03-03

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:33217

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Oct 11, 2024

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

23

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/36979

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect Oct 11, 2024

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն