A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect

A. E. Yesayan

Ներբեռնել

Վերնագիր: A capacitance model of short channel double-gate finfet including mobility degradation effect

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Երկփականի, կարճ ուղետարով ֆինֆետ տրանզիստորի ունակության մոդելը շարժունակության դեգրադացիայի պայմաններում; Модель емкости короткоканального финфета с двойным затвором, включая эффект деградации подвижности

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկոյթ:

93-101

Ամփոփում:

A capacitance compact and explicit model is introduced for a short channel Double gate (DG) undoped FinFET including the mobility degradation effect. The capacitance model is developed on the basis of the channel charge partition, and is the generalization of previously developed capacitance model accounted only for constant mobility. The presented analytical compact model is validated with 3D Atlas simulations performed with the CVT mobility model. Ներկայացված է կարճ ուղետարով երկփականի ՖինՖԵՏ տրանզիստորի ունակության մոդելը, որտեղ հաշվի է առնված լիցքակիրների շարժունակության դեգրադացիան: Ունակության մոդելը հիմնված է ուղետարի լիցքի տերմինալների միջև բաժանման գաղափարի վրա և հանդիսանում է հաստատուն շարժունակության համար նախկինում մշակված մոդելի ընդհանրացումը: Անալիտիկ հաշվարկների ճշգրտությունը ստուգված է 2D Atlas ստանդարտացված թվային գործիքով, որտեղ հաշվարկները կատարված են CVT շարժունակության մոդելով: Исследован короткоканальный, нелегированный FinFET полевой транзистор с двойным затвором. Разработана компактная модель емкости структуры, включая эффект деградации подвижности. Достоверность аналитических расчетов проверена сравнением с численными вычислениями с 2D Atlas инструментом с учетом CVT модели подвижности.