Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Date of publication:

2019

Volume:

72

Number:

1

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

Efficient surface passivation of n-type black silicon

Other title:

N-տիպի սև սիլիցիումի մակերևույթի արդյունավետ պասսիվացումը; Эффективная пассивация поверхности черного кремния n-типа

Creator:

G. Y. Ayvazyan ; S. K. Khudaverdyan ; M. S. Lebedev ; A. V. Semchenko

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Uncontrolled Keywords:

Այվազյան Գ. Ե. ; Խուդավերդյան Ս. Խ. ; Լեբեդեվ Մ. Ս. ; Սեմչենկո Ա. Վ. ; Айвазян Г. Е. ; Худавердян С. Х. ; Лебедев М. С . ; Семченко А. В. ; black silicon ; solar cell ; passivation ; reflection ; atomic layer deposition ; hafnium dioxide

Coverage:

78-84

Abstract:

Surface recombination losses significantly reduce the efficiency of black silicon (b-Si)for solar cell applications. Surface passivation using suitable dielectric films can minimize these losses. This paper reports the investigation on the passivation properties of the hafnium dioxide (HfO2) film deposited on n-type b-Si surface via the atomic layer deposition method. Մակերևութային վերամիավորման կորուստները զգալիորեն փոքրացնում են սև սիլիցիումի (b-Si) արդյունավետությունը արևային էլեմենտներում կիրառելու համար: Այդ կորուստները կարելի է նվազեցնել՝ մակերևույթը պասսիվացնելով որոշակի մեկուսիչ թաղանթներով: Հետազոտվել են n-տիպի b-Si-ի մակերևույթին ատոմաշերտային նստեցման մեթոդով ստացված հաֆնիումի երկօքսիդի (HfO2) թաղանթի պասսիվացման հատկությունները: Потери, обусловленные поверхностной рекомбинацией, значительно снижают эффективность черного кремния (b-Si) для применения в солнечных элементах. Пассивация поверхности с использованием определенных диэлектрических пленок может минимизировать эти потери. Исследованы пассивирующие свойства пленки диоксида гафния (HfO2), нанесенной на поверхность b-Si n-типа методом атомно-слоевого осаждения.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2019-03-03

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան