Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2006

Հատոր:

59

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Մակերևութային ակտիվ տարրերի դերը si(113) հարթակների վրա GE-ի բարակ թաղանթների և նանոկառուցվածքների հետերոէպիտաքսիալային աճեցման դեպքում; Роль поверхностно-активных элементов при гетероструктурном росте тонких пленок и наноструктур Ge на подложках Si(113)

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

394-398

Ամփոփում:

The paper deals with the investigation of the formation of Ge thin films and nanostructures on clean surface of Si(113) by in-situ ultra-high vacuum (UHV) scanning tunneling microscope (STM) and low energy electron diffraction (LEED), and the role of surface active species (surfactant) in heteroepitaxial growth. Ge layers were grown on the Si(113) surface by Ge deposition at elevated substrate temperatures and different duration of Ge deposition. For a detailed structural characterization during the growth in-situ STM and LEED studies were used to achieve information regarding the growth modes and the nucleation of Ge on Si(113) surface. Հոդվածի նպատակն է` ժամանակակից գերբարձր վակուումային փռող թունելային մանրադիտակով և փոքր էներգիայով էլեկտրոնների դիֆրակցիայի եղանակով ուսումնասիրել Ge-ի բարակ թաղանթների և նանոկառուցվածքների աճեցումը Si(113)-ի մաքուր մակերևույթների վրա, ինչպես նաև մակերևութային ակտիվ տարրերի դերը հետերոէպիտաքսիալային աճեցման դեպքում: Ge-ի շերտերը աճեցվել են Ge նստեցնելով Si(113) հարթակի մակերևույթի վրա բարձր ջերմաստիճանների և Ge-ի նստեցման տարբեր ջերմաստիճանների դեպքերում: Աճեցման ընթացքում կառուցվածքային մանրակրկիտ բնութագրում կատարելու համար ժամանակակից փռող թունելային մանրադիտակի օգնությամբ հնարավոր դարձավ տեղեկություն ստանալ Si(113)-ի վրա Ge-ի աճեցման ձևի և բյուրեղացման կենտրոնների առաջացման մասին: Исследуются вопросы формирования тонких пленок и наноструктур Ge на чистой поверхности Si(113) с помощью современного сверхвысокого вакуумного сканирующего туннельного микроскопа и метода дифракции электронов с низкой энергией. Показанa роль поверхностно-активных элементов при гетероструктурном росте. Слои Ge выращены на поверхности Si(113) при осаждении Ge в высоких температурах подложки и разных продолжительностях осаждения Ge. С целью подробной структурной характеризации современный сканирующий туннельный микроскоп позволил получить информацию о формах роста и образованиях центров кристаллизации Ge на поверхности Si(113).

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2006-07-20

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32379

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան