Publication Details:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Other title:
Creator:
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Subject:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Uncontrolled Keywords:
Շմավոնյան Գ. Շ. ; Шмавонян Г. Ш. ; heteroepitaxial growth ; thin film ; surfactant mediated growth
Coverage:
Abstract:
The paper deals with the investigation of the formation of Ge thin films and nanostructures on clean surface of Si(113) by in-situ ultra-high vacuum (UHV) scanning tunneling microscope (STM) and low energy electron diffraction (LEED), and the role of surface active species (surfactant) in heteroepitaxial growth. Ge layers were grown on the Si(113) surface by Ge deposition at elevated substrate temperatures and different duration of Ge deposition. For a detailed structural characterization during the growth in-situ STM and LEED studies were used to achieve information regarding the growth modes and the nucleation of Ge on Si(113) surface. Հոդվածի նպատակն է` ժամանակակից գերբարձր վակուումային փռող թունելային մանրադիտակով և փոքր էներգիայով էլեկտրոնների դիֆրակցիայի եղանակով ուսումնասիրել Ge-ի բարակ թաղանթների և նանոկառուցվածքների աճեցումը Si(113)-ի մաքուր մակերևույթների վրա, ինչպես նաև մակերևութային ակտիվ տարրերի դերը հետերոէպիտաքսիալային աճեցման դեպքում: Ge-ի շերտերը աճեցվել են Ge նստեցնելով Si(113) հարթակի մակերևույթի վրա բարձր ջերմաստիճանների և Ge-ի նստեցման տարբեր ջերմաստիճանների դեպքերում: Աճեցման ընթացքում կառուցվածքային մանրակրկիտ բնութագրում կատարելու համար ժամանակակից փռող թունելային մանրադիտակի օգնությամբ հնարավոր դարձավ տեղեկություն ստանալ Si(113)-ի վրա Ge-ի աճեցման ձևի և բյուրեղացման կենտրոնների առաջացման մասին: Исследуются вопросы формирования тонких пленок и наноструктур Ge на чистой поверхности Si(113) с помощью современного сверхвысокого вакуумного сканирующего туннельного микроскопа и метода дифракции электронов с низкой энергией. Показанa роль поверхностно-активных элементов при гетероструктурном росте. Слои Ge выращены на поверхности Si(113) при осаждении Ge в высоких температурах подложки и разных продолжительностях осаждения Ge. С целью подробной структурной характеризации современный сканирующий туннельный микроскоп позволил получить информацию о формах роста и образованиях центров кристаллизации Ge на поверхности Si(113).
Place of publishing:
Երևան
Publisher:
Date created:
Type:
Format:
Call number:
Digitization:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան