Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2007

Volume:

60

Number:

1

ISSN:

0002-306X

Official URL:

Other title:

Ծայրահեղ լայն InGaAsP/InP սուպերլյումինեսցենտային դիոդներ; Экстремально-широкие InGaAsP/InP cуперлюминесцентные диоды

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

153-156

Abstract:

For superluminescent diodes fabricated on the substrate with five 6 nm and two 15 nm InGaAsP quantum wells, a very broad emission spectrum is obtained. The spectral width is nearly 400 nm, covering the range from 1250 nm to 1650 nm. Սուպերլյումինեսցենտային դիոդները, որոնք պատրաստվել են հինգ 6 նմ և երկու 15 նմ լայնությամբ InGaAsP քվանտային փոսեր ունեցող հարթակի վրա, ունեն ճառագայթման շատ լայն սպեկտր: Սպեկտրային լայնությունը կազմում է մոտ 400 նմ, որն ընդգրկում է 1250 նմ-ից 1650 նմ տիրույթը: Для суперлюминесцентныx диодов, изготовленных на подложке с пятью 6-нaнометровыми и двумя 15-нaнометровыми InGaAsP квантовыми ямами, получен широкий эмиссионный спектр. Спектральная ширина составляет ~ 400 нм, которая покрывает область от 1250 нм до 1650 нм.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2007-01-30

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:32441

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան