Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Վ. Վ. Բունիաթյան; L. Ա. Միքայելյան

Ներբեռնել

Վերնագիր: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Հատոր:

Համար:

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Статические характеристики карбид - кремниевых полевых транзисторов с глубокими примесными уровнями и уровнями прилипания; Conductances of schottky barrier mesfet’s with the deep impurity and trap levels

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

120-126

Ամփոփում:

Տեսականորեն հետազոտվել է Շոտկիի արգելքով կառավարվող SiC-ային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականության և դիքության կախվածությունը կիրառված լարումներից և բյուրեղի մյուս էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերից, երբ ուղետարի տիրույթում հարստացնող խառնուրդները հանդիսանում են խորը և կիսահաղորչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել, որն ավելի ճշգրիտ է ներկայացնում իրական սիլիցիում-կարբիդային տրանզիստորներում ընթացող երևույթները: Исследованы зависимости проводимости канала и крутизны SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ) от приложенных напряжений и электрофизических параметров кристалла при наличии глубоких уровней и уровней прилипания в запрещенной зоне полупроводника. Предложенная новая модель позволяет глубже представить физические процессы, происходяшие в реальных SiC ПТШ. The dependencies of conductance and transconductance of Schottky barrier MESFET’s on the bias voltage and other electrophysical parameters of semiconductor crystalls are theoretically examined with the deep impurity and trap levels in the bandgap of the channel exist. The new model allows to present deeper the processes which take place in real SiC MESFET’s.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2005-04-17

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32236

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering Technology Буниатян В. В. Микаелян Л. А. Buniatyan V. V. Mikaelyan L. A. խառնուրդային խորը մակարդակ կպչուն մակարդակ (էլեկտրոնային թակարդներ) ելքային հաղորդականություն դիքություն

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Հոդվածներ

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Oct 11, 2024

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/35914

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները	Oct 11, 2024

Օբյեկտ

Վերնագիր: Խառնուրդային խորը և կպչուն մակարդակներ պարունակող սիլիցիումկարբիդային դաշտային տրանզիստորի հաղորդականույունները

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ: