Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2022

Հատոր:

57

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Shahnazaryan G. E., Shahkhatuni G. H., Aleksanyan M. S., Simonyan Z. G., Aroutiounian V. M., Sayunts A. G.

Այլ վերնագիր:

Study of the Impedance Characteristics of a Nanostructured ZnO<La> Sensor for Hydrogen Peroxide Vapors

Համատեղ հեղինակները:

Ереванский государственный университет

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

374-385

Ամփոփում:

Изготовлен наноструктурный сенсор для обнаружения паров перекиси водорода. Газочувствительная пленка сенсора на основе легированного 2 ат.% La металлоксида ZnO получена методом высокочастотного магнетронного распыле- ния. В области температур от комнатной до 200С исследованы импедансные и вольт-амперные характеристики ZnO<La> сенсора как до, так и после воздействия паров перекиси водорода. На основе анализа частотных характеристик ком- плексного импеданса предложена эквивалентная электрическая цепь для исследуемой сенсорной структуры, оценены параметры составляющих ее элементов и рассчитаны аппроксимирующие кривые. Показано, что основной вклад в чувствительность изготовленного сенсора дают процессы, протекающие на поверхности полупроводниковой пленки. Исследовано влияние изменения концентрации целевого газа на чувствительность ZnO<La> сенсора.
A nanostructured sensor for the detection of hydrogen peroxide vapors was manufactured. A gas sensitive film based on ZnO metal oxide doped with 2 at.% La was obtained by high-frequency magnetron sputtering method. In the temperature range of 25C to 200C, the impedance and current-voltage characteristics of the ZnO<La> sensor were studied with and without hydrogen peroxide vapors. The equivalent electrical circuit for the the sensor was suggested and the parameters of its elements were estimated. The fitting curves were calculated based on the analysis of the frequency characteristics of the complex impedance. It was shown that the sensitivity of the manufactured sensor mainly depends on the processes occurring on the surface of the semiconductor film. The effect of the change of the target gas concentration on the sensitivity of the ZnO<La> sensor was studied.

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

կապին հետեւելուն համար սեղմէ հոս ; oai:arar.sci.am:324718

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան