Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Title:
Исследование импедансных характеристик наноструктурного ZnO<La> сенсора паров перекиси водорода
Other title:
Creator:
Шахназарян, Г. Э. ; Шахатуни, Г. А. ; Алексанян, М. С. ; Симонян, З. Г. ; Арутюнян, В. М. ; Саюнц, А. Г.
Corporate Creators:
Ереванский государственный университет
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Coverage:
Abstract:
Изготовлен наноструктурный сенсор для обнаружения паров перекиси водорода. Газочувствительная пленка сенсора на основе легированного 2 ат.% La металлоксида ZnO получена методом высокочастотного магнетронного распыле- ния. В области температур от комнатной до 200С исследованы импедансные и вольт-амперные характеристики ZnO<La> сенсора как до, так и после воздействия паров перекиси водорода. На основе анализа частотных характеристик ком- плексного импеданса предложена эквивалентная электрическая цепь для исследуемой сенсорной структуры, оценены параметры составляющих ее элементов и рассчитаны аппроксимирующие кривые. Показано, что основной вклад в чувствительность изготовленного сенсора дают процессы, протекающие на поверхности полупроводниковой пленки. Исследовано влияние изменения концентрации целевого газа на чувствительность ZnO<La> сенсора.
A nanostructured sensor for the detection of hydrogen peroxide vapors was manufactured. A gas sensitive film based on ZnO metal oxide doped with 2 at.% La was obtained by high-frequency magnetron sputtering method. In the temperature range of 25C to 200C, the impedance and current-voltage characteristics of the ZnO<La> sensor were studied with and without hydrogen peroxide vapors. The equivalent electrical circuit for the the sensor was suggested and the parameters of its elements were estimated. The fitting curves were calculated based on the analysis of the frequency characteristics of the complex impedance. It was shown that the sensitivity of the manufactured sensor mainly depends on the processes occurring on the surface of the semiconductor film. The effect of the change of the target gas concentration on the sensitivity of the ZnO<La> sensor was studied.