Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2019

Հատոր:

12

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

Russian-Armenian (Slavonic) University, Yerevan, Armenia ; Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 29 Politekhnicheskaya str., St. Petersburg 195251, Russia ; Synopsys Armenia, Yerevan, Armenia

Ծածկոյթ:

344-348

Ամփոփում:

Boron Nitride Nanotubes are valued due to their physical and chemical properties. They can be found their possible applications in the field of design and developing of optoelectronic devices of new generation. In this paper the transport and electronic properties of both clear Boron Nitride and Boron Nitride Nanotube with embedded carbon atoms have been calculated in the framework of Density Functional Theory (DFT). Results show that nanodevice with embedded carbon atoms has wider transmission spectrum than clear one. It has been computed transmission eigenvalues for both nanodevices. Nanodevice with impurity has higher transmission eigenvalues than clear one.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2019-12-31

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23584

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան