Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2018

Հատոր:

11

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Ծածկոյթ:

91-100

Ամփոփում:

Theory of electron-polar optical single phonon field-induced tunnel scattering under the influence of an electric field is considered. It is assumed that the non-degenerate polar semiconductor has a spherical parabolic band structure. In low-field regime, an expression for the scattering time is obtained. Dependence of the scattering time (the scattering rate) on the electron energy is analyzed. The results of corresponding numerical computations for an n-GaAs at 300 K are presented. It is established that there is no fracture on the curve of electron scattering time (scattering rate) dependence on the electron energy.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2018-07-14

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23507

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան