Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2018

Հատոր:

11

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

National Polytechnic University of Armenia

Ծածկոյթ:

84-90

Ամփոփում:

p-Si/BaxSr1-xTiO3 heterojunction properties are investigated by electrochemical impedance spectroscopy method for the first time. The general equivalent circuit model is proposed in circuit description code as: Cf, Rf, Ch,Rh,Rp, where Cf, Rf are the BaxSr1-xTiO3 film conditioned capacitance and resistance, Ch, Rh are the heterojunction depletion layer capacitance and resistance, respectively, Rp is the series resistance. It is stated that the Bode plot curves of the structure in air mostly affected by the depletion layer capacitance of heterojunction Ch(V) .

Ստեղծման ամսաթիւը:

2018-07-14

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23506

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան