Object

Title: Relaxation Time of Electron – Polar Optical Phonon Field-Induced Tunnel Scattering

Ստեղծողը:

T. A. Zalinyan

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2018

Հատոր:

11

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University, Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics

Ծածկույթ:

91-100

Ամփոփում:

Theory of electron-polar optical single phonon field-induced tunnel scattering under the influence of an electric field is considered. It is assumed that the non-degenerate polar semiconductor has a spherical parabolic band structure. In low-field regime, an expression for the scattering time is obtained. Dependence of the scattering time (the scattering rate) on the electron energy is analyzed. The results of corresponding numerical computations for an n-GaAs at 300 K are presented. It is established that there is no fracture on the curve of electron scattering time (scattering rate) dependence on the electron energy.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2018-07-14

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23507

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

Dec 13, 2023

In our library since:

Feb 27, 2020

Number of object content hits:

50

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/26273

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

This page uses 'cookies'. More information