Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2012

Հատոր:

5

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Ծածկոյթ:

194-202

Ամփոփում:

The developments of ion-selective field-effect transistors (ISFET) are very furious and create pride. The importance of work in this field issued in last years because of increased ISFETs applications. Among these devices, proton-sensitive ISFETs are the more deeply analyzed. ISFET have a very fast response time, high sensitivity, small size, robustness and the potential for on-chip circuit integration.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2012-12-29

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23339

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան