Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2018

Հատոր:

11

Համար:

3

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University (YSU)

Ծածկոյթ:

153-159

Ամփոփում:

ZnO doped with 2 at.% La gas sensitive thin film was deposited on the Multi-Sensor-Platforms by the rf magnetron sputtering method using ZnO doped with 2 at.% La ceramic target prepared by us. Palladium catalytic particles were deposited by ion beam sputtering method on the surface of the sensing layer. The sensitivity of semiconductor film to low concentration of hydrogen peroxide vapors was measured at different operating temperatures. It was found that the ZnO+2 at.% La film has shown high sensitivity to low concentration of hydrogen peroxide vapors at different operating temperature started from room temperature.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2018-10-21

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23516

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան