На основе анализа прямой ветви вольт-амперной характеристики экспериментально подтверждено наличие двух механизмов переноса заряда через гетеропереход р-InSb–n-CdTe, полученного методом лазерно-импульсного осаждения. При относительно небольших напряжениях внешнего смещения (0.03 В < U < 0.15 В) ток удовлетворительно согласуется с выражением I ~ exp(qU/ηkT) с коэффициентом идеальности η = 1. Выше 0.18 В вольт-амперная характеристика подчиняется закону I ~ U 3/2 с последующим выходом на линейный участок (напряжение отсечки – 0.47 В). Дана теоретическая модель токопрохождения с учетом особенностей разрыва зон в гетеропереходе, приводящей к возникновению инверсионного слоя вблизи границы раздела. Based on the analysis of the forward current-voltage characteristics of the p-InSb–n-CdTe heterojunction, fabricated by a method of pulsed laser deposition, the existence of two charge injection mechanisms was experimentally confirmed. At relatively small external bias voltages (0.03 V < U < 0.15 V), the current is in satisfactory agreement with the expression I ~ exp (qU/ηkT) with ideality factor η = 1. Above 0.18 V, the current-voltage characteristic obeys the law I ~ U 3/2 with a subsequent exit to the linear part (current cut-off voltage – 0.47 V). A theoretical model of current transport is given taking into account the peculiarities of the heterojunction band bending, leading to the appearance of inversion layer near the interface.

pdf

АЖ 415

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Այլ վերնագիր:

Ստեղծողը:

Աջակից(ներ):

Խորագիր:

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Ծածկույթ:

Ամփոփում:

Հրատարակիչ:

Ստեղծման ամսաթիվը:

Տեսակ:

Ձևաչափ:

Դասիչ:

Բնօրինակի գտնվելու վայրը: