Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2016

Հատոր:

51

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Երկչափ կոորդինատազգայուն ֆոտոընդունիչներ (p)InSb–(n)CdTe հետերոանցման հիման վրա։ Two dimensional coordinate-sensitive photodetectors based on (p)InSb–(n)CdTe heterojunction.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

272-281

Ամփոփում:

Исследована фоточувствительность локально освещенного гетероперехода (p)InSb–(n)CdTe, созданного методом лазерно-импульсного осаждения тонкого слоя CdTe. На основе такого гетероперехода были изготовлены инфракрасные двухкоординатно-чувствительные фотоприемники и было показано, что они обладают линейными выходными характеристиками. Величина измеренной координатной чувствительности составляла около 30 нА/мкм. Հետազոտված է ֆոտոզգայնությունը տեղային ճառագայթված (n)CdTe–(p)InSb այն հետերոանցման, որը ստացված է CdTe-ի բարակ թաղանթի լազերա-իմպուլսային նստեցման մեթոդով: Այս հետերոանցման հիման վրա պատրաստված են երկչափ կոորդինատազգայուն ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչներ, և ցույց է տրված, որ դրանք ունեն գծային ելքային բնութագրեր: Կոորդինատային զգայնության չափված արժեքը կազմում է մոտ 30 նԱ/մկմ: Photosensitivity of locally irradiated (n)CdTe–(p)InSb heterojunction formed by laserpulsed deposition of CdTe thin layer was investigated. Two-coordinate sensitive IR photodetectors based on such heterojunction were fabricated, and it was shown that they have linear output characteristics. The measured value of coordinate sensitivity is about 30 nA/μm.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2016-03-25

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134688

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան