Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2016

Հատոր:

51

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

ZnO:Li օքսիդային շերտով մետաղ–օքսիդ–մետաղ կառուցվածքներում ռեզիստիվ փոխարկման էֆեկտը; Resistive switching effect in metal–oxide–metal structures with ZnO:Li oxide layer

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

227-234

Ամփոփում:

The resistive switching effect in metal–oxide–metal (MOM) structures have been investigated, where the 10%Li-doped ZnO layer was used as an oxide layer, as well as Pt and 20% fluorine doped SnO2 (SnO2:F) were used as bottom electrodes. Current–voltage (I–V) and switching (I–t) characteristics of Ag/ZnO:Li/Pt and Ag/ZnO:Li/SnO2:F structures were investigated. Unipolar resistive switching is detected in the structures with Pt electrode, and bipolar memory effect is found in case of using the transparent conductive SnO2:F as an electrode instead of Pt.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2016-03-25

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134683

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան