Двухмерные координатно-чувствительные фотоприемники на основе гетероперехода (p)InSb–(n)CdTe

Երկչափ կոորդինատազգայուն ֆոտոընդունիչներ (p)InSb–(n)CdTe հետերոանցման հիման վրա։ Two dimensional coordinate-sensitive photodetectors based on (p)InSb–(n)CdTe heterojunction.

А. В. Маргарян ; С. Г. Петросян ; Л. А. Матевосян ; К. Е. Авджян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Optics; Light

Մարգարյան Ա. Վ. ; Պետրոսյան Ս. Գ. ; Մաթեվոսյան Լ. Ա. ; Ավջյան Կ. Ե. ; Margaryan A. V. ; Petrosyan S. G. ; Matevosyan L. A. ; Avjyan K. E.

272-281

Исследована фоточувствительность локально освещенного гетероперехода (p)InSb–(n)CdTe, созданного методом лазерно-импульсного осаждения тонкого слоя CdTe. На основе такого гетероперехода были изготовлены инфракрасные двухкоординатно-чувствительные фотоприемники и было показано, что они обладают линейными выходными характеристиками. Величина измеренной координатной чувствительности составляла около 30 нА/мкм. Հետազոտված է ֆոտոզգայնությունը տեղային ճառագայթված (n)CdTe–(p)InSb այն հետերոանցման, որը ստացված է CdTe-ի բարակ թաղանթի լազերա-իմպուլսային նստեցման մեթոդով: Այս հետերոանցման հիման վրա պատրաստված են երկչափ կոորդինատազգայուն ինֆրակարմիր ֆոտոընդունիչներ, և ցույց է տրված, որ դրանք ունեն գծային ելքային բնութագրեր: Կոորդինատային զգայնության չափված արժեքը կազմում է մոտ 30 նԱ/մկմ: Photosensitivity of locally irradiated (n)CdTe–(p)InSb heterojunction formed by laserpulsed deposition of CdTe thin layer was investigated. Two-coordinate sensitive IR photodetectors based on such heterojunction were fabricated, and it was shown that they have linear output characteristics. The measured value of coordinate sensitivity is about 30 nA/μm.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան