Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2017

Հատոր:

52

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Ֆոտոհոսանքի ուսումնասիրությունը երկչափ n-p-n կառուցվացքում սկանավորվող լազերային մանրադիտակով; Study of Photocurrent in the Two-Dimensional n–p–n Structure by Scanning Laser Microscope

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

383-389

Ամփոփում:

Экспериментально исследовался фототок, индуцированный при локальном возбуждении сфокусированным до 0.17 мкм световым пучком поверхности полупроводникового элемента в планарной структуре с двумя p–n переходами, т. е. с помощью так называемой методики сканирующей лазерной микроскопии. Փորձնականորեն հետազոտված է ֆոտոհոսանքի առաջացումը 0.17 մկմ կիզակետված լուսային փնջով հարթ կառուցվածքով երկչափ p–n անցումներով կիսահաղորդչային մակերեսի տեղային գրգռելով, այսպես կոչված սկանավորող լազերային մանրադիտակային եղանակով: The photocurrent induced under local excitation of the light beam focused up to 0.17 μm from the surface of semiconductor element in the planar structure with two p–n junctions, i. e., using the so-called scanning laser microscopy technique, was experimentally studied. The linear dependence of photocurrent on the coordinate of beam center is obtained.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2017-05-09

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134771

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան