Object

Title: Полевой транзистор на основе пленок ZnO:Li

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2010

Volume:

45

Number:

6

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Other title:

ZnO:Li թաղանթից դաշտային տրանզիստոր; Field-effect transistor based on ZnO:Li films

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

407-416

Abstract:

Получены полевые транзисторы с n- и p-типами канала на основе оксидных пленок ZnO:Li и фторидной пленки MgF2 в качестве изолятора затвора. Պատրաստված են n- և p-տիպի ուղղետարով դաշտային տրանզիստորներ ZnO:Li օքսիդային թաղանթի հիմքով` օգտագործելով MgF2 ֆտորիդային թաղանթը որպես փականի մեկուսիչ: Field-effect transistors with n- and p-types of the channel on the base of ZnO:Li oxide films and MgF2 fluoride film as a gate insulator were obtained.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2010-11-06

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134283

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

31

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/147602

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information