Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Полевой транзистор на основе пленок ZnO:Li
Այլ վերնագիր:
ZnO:Li թաղանթից դաշտային տրանզիստոր; Field-effect transistor based on ZnO:Li films
Ստեղծողը:
Р. К. Овсепян ; Н. Р. Агамалян ; С. И. Петросян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Optics; Light
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Աղամալյան Ն. Ռ. ; Պետրոսյան Ս. Ի. ; Hovsepyan R. K. ; Aghamalyan N. R. ; Petrosyan S. I.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Получены полевые транзисторы с n- и p-типами канала на основе оксидных пленок ZnO:Li и фторидной пленки MgF2 в качестве изолятора затвора. Պատրաստված են n- և p-տիպի ուղղետարով դաշտային տրանզիստորներ ZnO:Li օքսիդային թաղանթի հիմքով` օգտագործելով MgF2 ֆտորիդային թաղանթը որպես փականի մեկուսիչ: Field-effect transistors with n- and p-types of the channel on the base of ZnO:Li oxide films and MgF2 fluoride film as a gate insulator were obtained.