Полевой транзистор на основе пленок ZnO:Li

Р. К. Овсепян; Н. Р. Агамалян; С. И. Петросян

Ներբեռնել

Վերնագիր: Полевой транзистор на основе пленок ZnO:Li

Volume:

Number:

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

ZnO:Li թաղանթից դաշտային տրանզիստոր; Field-effect transistor based on ZnO:Li films

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

407-416

Abstract:

Получены полевые транзисторы с n- и p-типами канала на основе оксидных пленок ZnO:Li и фторидной пленки MgF2 в качестве изолятора затвора. Պատրաստված են n- և p-տիպի ուղղետարով դաշտային տրանզիստորներ ZnO:Li օքսիդային թաղանթի հիմքով` օգտագործելով MgF2 ֆտորիդային թաղանթը որպես փականի մեկուսիչ: Field-effect transistors with n- and p-types of the channel on the base of ZnO:Li oxide films and MgF2 fluoride film as a gate insulator were obtained.