Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2007

Volume:

42

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Effect of In and Al interdiffusion on electronic states and light absorption in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

83-91

Abstract:

Предложен новый метод теоретического исследования влияния взаимной диффузии в квантовых точках на электронные состояния в них. Суть метода заключается в замене сформировавшегося вследствие диффузии “истинного” ограничивающего потенциала модельным, для которого известны решения уравнения Шредингера и спектр энергии. A new method of theoretical investigation of interdiffusion effect on electronic states in quantum dots is proposed. The main point of the method is the replacement of the “veritable” confining potential formed due to diffusion by a modeling potential for which the Schrödinger equation solutions and the energy spectrum are known.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2007-03-03

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:133988

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան