Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2007

Հատոր:

42

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Влияние взаимной диффузии In и Al на электронные состояния и поглощение света в квантовых точках InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs

Այլ վերնագիր:

Effect of In and Al interdiffusion on electronic states and light absorption in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots

Ստեղծողը:

В. Н. Мугнецян ; А. А. Киракосян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Electricity and magnetism

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Mughnetsyan V. N. ; Kirakosyan A. A.

Ծածկոյթ:

83-91

Ամփոփում:

Предложен новый метод теоретического исследования влияния взаимной диффузии в квантовых точках на электронные состояния в них. Суть метода заключается в замене сформировавшегося вследствие диффузии “истинного” ограничивающего потенциала модельным, для которого известны решения уравнения Шредингера и спектр энергии. A new method of theoretical investigation of interdiffusion effect on electronic states in quantum dots is proposed. The main point of the method is the replacement of the “veritable” confining potential formed due to diffusion by a modeling potential for which the Schrödinger equation solutions and the energy spectrum are known.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2007-03-03

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան