Նիւթ

Վերնագիր: Влияние взаимной диффузии In и Al на электронные состояния и поглощение света в квантовых точках InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2007

Հատոր:

42

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Effect of In and Al interdiffusion on electronic states and light absorption in InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dots

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկոյթ:

83-91

Ամփոփում:

Предложен новый метод теоретического исследования влияния взаимной диффузии в квантовых точках на электронные состояния в них. Суть метода заключается в замене сформировавшегося вследствие диффузии “истинного” ограничивающего потенциала модельным, для которого известны решения уравнения Шредингера и спектр энергии. A new method of theoretical investigation of interdiffusion effect on electronic states in quantum dots is proposed. The main point of the method is the replacement of the “veritable” confining potential formed due to diffusion by a modeling potential for which the Schrödinger equation solutions and the energy spectrum are known.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2007-03-03

Ձեւաչափ:

pdf

Նոյնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:133988

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Նիւթին հաւաքածոները:

Վերջին անգամ ձեւափոխուած է:

May 5, 2025

Մեր գրադարանին մէջ է սկսեալ:

Apr 21, 2020

Նիւթին բովանդակութեան հարուածներուն քանակը:

15

Նիւթին բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147279

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը RDF ձեւաչափով:

RDF

Ցոյց տուր նկարագրութիւնը OAI-PMH ձեւաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը կ'օգտագործէ 'cookie-ներ'։ Յաւելեալ տեղեկատուութիւն