Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2009

Հատոր:

44

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Al-ի և Ga-ի փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունը GaAs/Ga1-xAlxAs կիսահաղորդչային գերցանցում էլեկտրոնային վիճակների վրա; Effect of Al and Ga interdiffusion on the electronic states in GaAs/Ga1-xAlxAs semiconductor superlattice

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

207-212

Ամփոփում:

В рамках метода модифицированного потенциала Вуда–Саксона исследовано влияние взаимной диффузии атомов Al и Ga на ограничивающий потенциал и зонную структуру трехмерной сверхрешетки, состоящей из изначально сферических квантовых точек GaAs/Ga1-xAlxAs. Վուդ–Սաքսոնի ձևափոխված պոտենցիալի մեթոդի շրջանակներում ուսումնասիրված է Al-ի և Ga-ի ատոմների փոխադարձ դիֆուզիայի ազդեցությունը նախապես գնդային համաչափությամբ GaAs/Ga1-xAlxAs քվանտային կետերից բաղկացած եռաչափ գերցանցի սահմանափակող պոտենցիալի և գոտիական կառուցվածքի վրա: The effect of interdiffusion of Al and Ga atoms on the confining potential and band structure of a three-dimensional superlattice, composed of initially spherical GaAs/Ga1-xAlxAs quantum dots, is investigated in the framework of the modified Wood–Saxon potential model.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2009-06-07

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134172

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան