Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2012

Volume:

65

Number:

4

ISSN:

0002-306X

Official URL:

Other title:

EEPROM հիշողության տարրի մոդելավորումը / Գ. Շ. Մելիքյան։ Simulation of memory cell EEPROM / G. Sh. Melikyan.

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Coverage:

391-399

Abstract:

Проведено исследование и моделирование запоминающего элемента и усилителя считывания EEPROM. Модель запоминающего элемента основана на оригинальной методике расчета потенциала плавающего затвора в условиях постоянного тока без фиксированных емкостных коэффициентов связи. Приведены частотные и временные характеристики схемы усилителя считывания с использованием программного пакета HSPICE. The investigation and modeling of the storage element and the readout amplifier EEPROM is carried out. Model memory element is based on the original method of calculating the potential of floating gate in DC without fixed capacitive coupling coefficients. The frequency and temporal characteristics of the amplifier readout using a software package HSPICE is presented.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2012-12-20

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:32846

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան