Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

65

Համար:

4

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

EEPROM հիշողության տարրի մոդելավորումը / Գ. Շ. Մելիքյան։ Simulation of memory cell EEPROM / G. Sh. Melikyan.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

391-399

Ամփոփում:

Проведено исследование и моделирование запоминающего элемента и усилителя считывания EEPROM. Модель запоминающего элемента основана на оригинальной методике расчета потенциала плавающего затвора в условиях постоянного тока без фиксированных емкостных коэффициентов связи. Приведены частотные и временные характеристики схемы усилителя считывания с использованием программного пакета HSPICE. The investigation and modeling of the storage element and the readout amplifier EEPROM is carried out. Model memory element is based on the original method of calculating the potential of floating gate in DC without fixed capacitive coupling coefficients. The frequency and temporal characteristics of the amplifier readout using a software package HSPICE is presented.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-12-20

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32846

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան