Object

Title: Retention flop boosting mechanism for self save/restore gapability

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

65

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Վիճակի պահպանմամբ ռեգիստորների ինքնապահպանման/վերականգնման լավարկման մեխանիզմ / Վ. Շ. Մելիքյան, Հ. Պ. Պետրոսյան, Ա. Ա. Դուրգարյան, Է. Հ., Բաբայան, Ն. Խ. Ասլանյան։ Механизм улучшения самосохранения/восстановления удерживающих регистров / В. Ш. Меликян, Г. П. Петросян, А. А. Дургарян, Э. Г. Бабаян, Н. Х. Асланян.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

65-75

Ամփոփում:

Power gating has been widely employed to reduce sub-threshold leakage. Data retention flops (RF) are used to preserve circuit states during power down, if the states are needed again after wakeup. These elements must be controlled by an extra power management unit, causing a network of control signals implemented with extra wires and buffers. In this paper analytical expression for RF parameters are presented. Սպառվող ստատիկ հզորության նվազարկման ամենատարածված եղանակը սնման լարման շրջափակումն է: Այդպիսի շրջափակման ընթացքում սխեմայի ընթացիկ վիճակը հիշելու նպատակով օգտագործվում են վիճակի պահպանման ռեգիստորներ (ՎՊՌ): Դրանք ղեկավարվում են արտաքին սնուցման ղեկավարման հանգույցով: Արդյունքում՝ սխեմայում մեծանում են միջմիացումների երկարությունները և բուֆերների քանակը: ՎՊՌ-ների բնութագրական պարամետրերի գնահատման համար ստացված են բանաձևեր: Наиболее распространенным способом уменьшения потребляемой статической мощности является блокировка напряжения питания. С целью запоминания текущего состояния схемы в течение такой блокировки используются регистры удержания состояния (РУС). Эти регистры управляются внешним узлом управления питанием. В результате увеличиваются длины межсоединений и количество буферов в схеме. Получены аналитические выражения определения характерных параметров РУС.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-03-25

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32800

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

Oct 11, 2024

In our library since:

Mar 3, 2020

Number of object content hits:

22

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/36520

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information